MOSFET Infineon, canale P, 1,05 Ω, 4,2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9064
Codice costruttore:
SPD04P10PLGBTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

4,2 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

SIPMOS®

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,05 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

38 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

12 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

2.41mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Non applicabile

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®


I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS® dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in drain continua, come ad esempio corrente a -80 A oltre a un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Il transistor di potenza SIPMOS può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, eMobility, notebook, dispositivi c.c./c.c. e il settore automobilistico.

· Qualifica AEC Q101 (si prega di fare riferimento alla scheda tecnica)
· Placcatura senza piombo; conformità RoHS


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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