MOSFET ROHM, canale P, 0,84 Ω, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
223-6280
Codice costruttore:
RD3L01BATTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

10 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

0,84 Ω

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET di potenza ROHM ha un tipo di contenitore TO-252. È utilizzato principalmente per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

Semplificazione dei circuiti di pilotaggio

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo, conformità RoHS

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