MOSFET ROHM, canale N, 0,4 Ω, 11 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
235-2693
Codice costruttore:
R6511END3TL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

11 A

Tensione massima drain source

650 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

0,4 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Numero di elementi per chip

1

ROHM serie R6xxxENx offre prodotti a bassa rumorosità, MOSFET a super giunzione, che pongono l'accento sulla facilità d'uso. Questa serie di prodotti offre prestazioni superiori per le applicazioni sensibili al rumore per ridurre il rumore, come ad esempio apparecchiature audio e di illuminazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

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