MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 400 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6511END3TL1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

14,64 €

(IVA esclusa)

17,86 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,928 €14,64 €
50 - 952,51 €12,55 €
100 - 2452,134 €10,67 €
250 - 9952,086 €10,43 €
1000 +1,718 €8,59 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
235-2694
Codice costruttore:
R6511END3TL1
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

10.4mm

Larghezza

2.4 mm

Lunghezza

6.4mm

Standard automobilistico

No

ROHM serie R6xxxENx offre prodotti a bassa rumorosità, MOSFET a super giunzione, che pongono l'accento sulla facilità d'uso. Questa serie di prodotti offre prestazioni superiori per le applicazioni sensibili al rumore per ridurre il rumore, come ad esempio apparecchiature audio e di illuminazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

Link consigliati