MOSFET ROHM, canale N 650 V, 585 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6509END3TL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
235-2690
Codice costruttore:
R6509END3TL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

585mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.4mm

Altezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

ROHM serie R6xxxENx offre prodotti a bassa rumorosità, MOSFET a super giunzione, che pongono l'accento sulla facilità d'uso. Questa serie di prodotti offre prestazioni superiori per le applicazioni sensibili al rumore per ridurre il rumore, come ad esempio apparecchiature audio e di illuminazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

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