MOSFET ROHM, canale N 650 V, 665 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6507KND3TL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
235-2688
Codice costruttore:
R6507KND3TL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

665mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.4mm

Lunghezza

6.4mm

Altezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

ROHM serie R6xxxKNx è un prodotto di commutazione ad alta velocità, MOSFET a super giunzione che pone l'accento sull'elevata efficienza. Garantisce una maggiore efficienza grazie alla commutazione ad alta velocità. La commutazione ad alta velocità rende possibile contribuire a una maggiore efficienza nei circuiti PFC e LLC.

Bassa resistenza in stato attivo

Velocità di commutazione ultra-veloce

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

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