MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 1.05 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6504END3TL1

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Codice RS:
235-2680
Codice costruttore:
R6504END3TL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.05Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

58W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

10.4mm

Larghezza

2.4 mm

Standard automobilistico

No

ROHM serie R6xxxENx offre prodotti a bassa rumorosità, MOSFET a super giunzione, che pongono l'accento sulla facilità d'uso. Questa serie di prodotti offre prestazioni superiori per le applicazioni sensibili al rumore per ridurre il rumore, come ad esempio apparecchiature audio e di illuminazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

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