Codice costruttore

MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 1.05 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6504END3TL1

Codice RS:: 235-2681
Codice costruttore:: R6504END3TL1
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 1.05 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6504END3TL1

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Codice RS:: 235-2681
Codice costruttore:: R6504END3TL1
Costruttore:: ROHM

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	ROHM
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.05Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	58W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	15nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.4mm
	Altezza	10.4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio ROHM
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.05Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 58W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.4mm
	Altezza 10.4mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - R6504END3TL1

ROHM serie R6xxxENx offre prodotti a bassa rumorosità, MOSFET a super giunzione, che pongono l'accento sulla facilità d'uso. Questa serie di prodotti offre prestazioni superiori per le applicazioni sensibili al rumore per ridurre il rumore, come ad esempio apparecchiature audio e di illuminazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

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