MOSFET onsemi, canale N, P, 37 mΩ, 80 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
166-2045
Codice costruttore:
FDD8424H-F085A
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

20 A

Tensione massima drain source

40 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

5

Resistenza massima drain source

37 mΩ, 80 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

30 W, 35 W

Configurazione transistor

Drain comune

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

14 nC a 10 V, 17 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

2

Larghezza

6.22mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
US

MOSFET doppio a canale N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema. Tali dispositivi combinano una bassa carica di gate (Qg), una bassa carica di recupero inverso (Qrr) e un diodo integrato a recupero inverso graduale, che contribuisce a una rapida commutazione del raddrizzamento sincrono in alimentatori c.a./c.c..
I più recenti MOSFET PowerTrench® adottano la struttura a gate schermato che offre il bilanciamento della carica. Grazie a questa avanzata tecnologia, il FOM (fattore di merito) di questi dispositivi è notevolmente inferiore rispetto a quello della generazione precedente.
Le prestazioni soft del diodo integrato del MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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