2 MOSFET onsemi Drain comune, canale Tipo N, Tipo P, 54 mΩ, 9 A 40 V, TO-252, Superficie Miglioramento, 5 Pin FDD8424H

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Codice RS:
124-1698
Codice costruttore:
FDD8424H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Numero elementi per chip

2

Tipo prodotto

MOSFET

Configurazione transistor

Drain comune

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds)

54 mΩ

Massima corrente di scarico continua (Id)

9 A

Tensione massima della sorgente di scarico (Vds)

40 V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

Miglioramento

Numero pin

5

Altezza

2.39 mm

Lunghezza

6.73 mm

Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs)

20 V, -20 V

Temperatura massima di funzionamento

150 °C

Dissipazione di potenza massima (Pd)

3.1 W

Minima temperatura operativa

-55 °C

Serie

PowerTrench

Larghezza

6.22 mm

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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