MOSFET onsemi, canale N, 63 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
166-2634
Codice costruttore:
FQD20N06TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

17 A

Tensione massima drain source

60 V

Serie

QFET

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

63 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

6.6mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

11,5 nC a 10 V

Larghezza

6.1mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.3mm

MOSFET a canale N QFET®, da 11 a 30 A, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.
Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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