MOSFET onsemi, canale N, 90 mΩ, 32 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-7569
Codice costruttore:: FDD3682-F085
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 90 mΩ, 32 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità**

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Codice RS:: 178-7569
Codice costruttore:: FDD3682-F085
Costruttore:: onsemi

FDD3682_F085, N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mOhm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	32 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	90 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	95 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	6.22mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.73mm
Carica gate tipica @ Vgs	18,5 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm

MOSFET onsemi, canale N, 90 mΩ, 32 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

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