MOSFET onsemi, canale N, 90 mΩ, 32 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
178-7569
Codice costruttore:
FDD3682-F085
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

32 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

PowerTrench

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

90 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

95 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Carica gate tipica @ Vgs

18,5 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.39mm

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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