MOSFET Infineon, canale N, 4,9 mΩ, 90 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
825-9364
Codice costruttore:
IPD036N04LGBTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

90 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

OptiMOS™ 3

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

4,9 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Tensione di soglia gate minima

1.2V

Dissipazione di potenza massima

94 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

6.73mm

Carica gate tipica @ Vgs

59 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

6.22mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.41mm

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching
Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC
Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
Canale N, livello logico
Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)
Resistenza R DS(on) molto bassa
Placcatura senza piombo


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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