MOSFET onsemi, canale N, 10,7 mΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
166-2073
Codice costruttore:
FDD8444L-F085
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

50 A

Tensione massima drain source

40 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

10,7 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

153 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

6.73mm

Carica gate tipica @ Vgs

46 nC a 5 V

Larghezza

6.22mm

Altezza

2.39mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
US

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati