MOSFET onsemi, canale N, 23 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
124-1427
Codice costruttore:
HUFA76429D3ST-F085
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

20 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

UltraFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

23 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

110 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-16 V, +16 V

Larghezza

6.22mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Carica gate tipica @ Vgs

38 nC a 10 V

Lunghezza

6.73mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.39mm

Paese di origine:
US

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


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