MOSFET onsemi, canale N, 1,5 Ω, 5,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
163-2672
Codice costruttore:
NDD05N50ZT4G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5,5 A

Tensione massima drain source

500 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,5 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Dissipazione di potenza massima

117 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

6.22mm

Carica gate tipica @ Vgs

18,5 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.38mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semiconductor

Link consigliati