MOSFET onsemi, canale N, 1,5 Ω, 5,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-2672
Codice costruttore:: NDD05N50ZT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,5 Ω, 5,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 163-2672
Codice costruttore:: NDD05N50ZT4G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,5 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Dissipazione di potenza massima	117 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	6.73mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6.22mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	18,5 nC a 10 V
Altezza	2.38mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 1,5 Ω, 5,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

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