MOSFET onsemi, canale N, 6,3 Ω, 1,8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:
166-1793
Codice costruttore:
FQD2N80TM
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

1,8 A

Tensione massima drain source

800 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

QFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

6,3 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

12 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

6.1mm

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.3mm

MOSFET a canale N QFET® fino a 5,9 A, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.
Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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