MOSFET Infineon, canale N 800 V, 2.4 Ω Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R2K4P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2516
Codice costruttore:
IPD80R2K4P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

800V CoolMOS P7

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

22W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

900mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V Cool MOS™ P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni fly-back tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e alimentazione industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché ai componenti della concorrenza testati in applicazioni flyback tipiche. Inoltre, consente progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e migliori prodotti DPAK RDS(ON).

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