MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR7440TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0989
Codice costruttore:
IRFR7440TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

89nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.39 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-36-990

MOSFET di potenza a canale N da 40 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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