MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 2 Ω Miglioramento, 2.4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R2K0C6ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9043
Codice costruttore:
IPD60R2K0C6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolMOS C6

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.7nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

22.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS C6 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con l'innovazione di alta classe. I dispositivi offerti offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida senza sacrificare la facilità d'uso. Le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, più compatte, più leggere e più fredde.

Facile da usare/guidare

Completamente qualificato in conformità a JEDEC per applicazioni industriali

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