MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN80R2K4P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4689
Codice costruttore:
IPN80R2K4P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.5nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.8mm

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.7 mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon della serie Cool MOS™ P7 rappresenta un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie 800V Super Junction e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione della tecnologia di super giunzione di Infineon da oltre 18 anni.

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

Diodo di protezione ESD integrato a basse perdite di commutazione (Eoss)

Eccellente comportamento termico

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