MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN80R2K4P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4689
Codice costruttore:
IPN80R2K4P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

SOT-223

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

6.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.5nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.8mm

Lunghezza

6.7mm

Larghezza

3.7 mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon della serie Cool MOS™ P7 rappresenta un nuovo punto di riferimento nelle tecnologie 800V Super Junction e combina le migliori prestazioni della categoria con la facilità d'uso all'avanguardia Art, frutto dell'innovazione della tecnologia di super giunzione di Infineon da oltre 18 anni.

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

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