MOSFET Infineon, canale N 55 V, 45 mΩ, 27 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR4105TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3111
Codice costruttore:
IRFR4105TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Tensione diretta Vf

45mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 55V serie Infineon HEXFET. Utilizza tecniche Advanced Processing per ottenere la resistenza minima possibile all'accensione per area di silicio. Questo MOSFET è progettato per il montaggio superficiale con tecnica di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a onda.

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Commutazione rapida

Senza piombo

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