MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 45 mΩ, 27 A, TO-252, Superficie

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Codice RS:
218-3110
Codice costruttore:
IRFR4105TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.045V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.39 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 55V serie Infineon HEXFET. Utilizza tecniche Advanced Processing per ottenere la resistenza minima possibile all'accensione per area di silicio. Questo MOSFET è progettato per il montaggio superficiale con tecnica di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a onda.

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Commutazione rapida

Senza piombo

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