MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 2.7 Ω Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SPD02N80C3ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4479
Codice costruttore:
SPD02N80C3ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC1

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-39-428

Questo MOSFET Infineon Cool MOS utilizza una nuova rivoluzionaria tecnologia ad alta tensione e ha un'elevata capacità di corrente di Peak.

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