MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 2.7 Ω Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1077,50 €

(IVA esclusa)

1315,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 06 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,431 €1.077,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-4478
Codice costruttore:
SPD02N80C3ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC1

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon Cool MOS utilizza una nuova rivoluzionaria tecnologia ad alta tensione e ha un'elevata capacità di corrente di Peak.

Ha una carica di gate ultra bassa

Link consigliati