MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 2.7 Ω Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R2K7C3AATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2532
Codice costruttore:
IPD80R2K7C3AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La tecnologia Infineon CoolMOS™ C3A è stata progettata per soddisfare le crescenti esigenze di tensioni di sistema più elevate nell'area dei veicoli elettrici, come i PHY e i BEV.

Qualità e affidabilità migliori della categoria

Tensione di scarica distruttiva più elevata

Capacità di corrente di picco elevata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

Contenitore verde (conforme a RoHS)

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