MOSFET ROHM, canale Tipo N 100 V, 50 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-252, Superficie RD3P200SNTL

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Codice RS:
172-0472
Codice costruttore:
RD3P200SNTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

RD3P200SN

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.8mm

Larghezza

6.4 mm

Standard automobilistico

No

Il modello RD3P200SN è un MOSFET di potenza con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo.

Elevata velocità di commutazione.

I circuiti di azionamento possono essere semplici.

Uso in parallelo facile.

Placcatura senza piombo

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