MOSFET ROHM, canale N 40 V, 6.3 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
172-0384
Codice costruttore:
RD3G500GNTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

RD3G500GN

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

35W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.3mm

Larghezza

6.4mm

Standard/Approvazioni

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Lunghezza

6.8mm

Standard automobilistico

No

Il modello RD3G500GN è un MOSFET con bassa resistenza in stato attivo, idoneo per le applicazioni di commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Contenitore ad alta potenza (TO-252)

Placcatura senza piombo

Senza alogeni

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