MOSFET ROHM, canale Tipo N 40 V, 6.3 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
172-0384
Codice costruttore:
RD3G500GNTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

RD3G500GN

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

35W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.8mm

Standard/Approvazioni

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Altezza

2.3mm

Larghezza

6.4 mm

Standard automobilistico

No

Il modello RD3G500GN è un MOSFET con bassa resistenza in stato attivo, idoneo per le applicazioni di commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Contenitore ad alta potenza (TO-252)

Placcatura senza piombo

Senza alogeni

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