MOSFET ROHM, canale N 100 V, 133 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
264-3812
Codice costruttore:
RD3P100SNTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

RD3P100SN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

133mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione, i suoi circuiti di azionamento possono essere semplici, placcati senza piombo e conformi alla direttiva RoHS.

Velocità di commutazione rapida

Facilità d'uso in parallelo

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