MOSFET ROHM, canale N 100 V, 46 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
264-3816
Codice costruttore:
RD3P200SNTL1
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

RD3P200SN

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

46mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione, i suoi circuiti di azionamento possono essere semplici, placcati senza piombo e conformi alla direttiva RoHS.

Velocità di commutazione rapida

Facilità d'uso in parallelo

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.