MOSFET ROHM, canale N 100 V, 46 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-252, Superficie RD3P200SNTL1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-3818
Codice costruttore:
RD3P200SNTL1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

RD3P200SN

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

46mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

20W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione, i suoi circuiti di azionamento possono essere semplici, placcati senza piombo e conformi alla direttiva RoHS.

Velocità di commutazione rapida

Facilità d'uso in parallelo

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