2 MOSFET onsemi Duale, canale Tipo N, 41 mΩ, 26 A 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NVMFD5C680NLWFT1G
- Codice RS:
- 172-3383
- Codice costruttore:
- NVMFD5C680NLWFT1G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
20,925 €
(IVA esclusa)
25,525 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 01 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,837 € | 20,93 € |
| 100 - 225 | 0,722 € | 18,05 € |
| 250 + | 0,626 € | 15,65 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 172-3383
- Codice costruttore:
- NVMFD5C680NLWFT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 26A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | NVMFD5C680NL | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 19W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 26A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie NVMFD5C680NL | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 19W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Altezza 1.05mm | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Ingombro ridotto (5x6 mm)
Design compatto
Bassa resistenza RDS(on)
Riduce la perdita di conduzione
QG e capacità bassi
Riduce le perdite di driver
NVMFD5C446NLWF - Opzione con fiancata bagnabile
Ispezione visiva migliorata
Capacità PPAP
Applicazioni
Driver solenoide
Driver low side /high side
Controller motore nel settore automobilistico
Sistemi di frenatura antiblocco
Link consigliati
- 2 MOSFET onsemi Duale 41 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Duale 41 mΩ DFN 8 Pin NVMFD5C680NLT1G
- 2 MOSFET onsemi Duale 3.9 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Duale 5.8 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Duale 17.8 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Duale 7.7 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Duale 12.6 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Duale 16.8 mΩ DFN 8 Pin
