MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 23 mΩ Miglioramento, 75 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante FCH023N65S3L4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
172-4616
Codice costruttore:
FCH023N65S3L4
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

FCH

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

222nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

595W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

22.74mm

Lunghezza

15.8mm

Larghezza

5.2 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.

700 V a TJ= 150 °C

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 78 nC)

Minore perdita di commutazione

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)

Minore perdita di commutazione

Capacità ottimizzata

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

RDS(on) = 62 mΩ

Garanzia di saldatura a onda

Elaborazione

Telecomunicazioni

Industriale

Telecomunicazioni/Server

Inverter solari/UPS

EVC

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