MOSFET Vishay, canale N, 6,5 Ω, 1,8 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 178-0842
- Codice costruttore:
- IRFBE20PBF
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
0,507 €
(IVA esclusa)
0,619 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 50 + | 0,507 € | 25,35 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 178-0842
- Codice costruttore:
- IRFBE20PBF
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 1,8 A |
| Tensione massima drain source | 800 V |
| Tipo di package | TO-220AB |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 6,5 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 54 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Carica gate tipica @ Vgs | 38 nC a 10 V |
| Lunghezza | 10.41mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 4.7mm |
| Altezza | 9.01mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |