MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 1.8 Ω Miglioramento, 5.2 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB7NK80ZT4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
760-9516
Codice costruttore:
STB7NK80ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

10.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.75mm

Altezza

4.6mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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