MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 295 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
168-7535
Codice costruttore:
STB18NM80
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

MDmesh

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

295mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.75mm

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

10.4 mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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