Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,2 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	TO-220FP
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.4mm
Larghezza	4.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	40 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.3mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,2 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	TO-220FP
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.4mm
Larghezza	4.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	40 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.3mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,8 Ω, 5,2 A, TO-220FP, Su foro

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