MOSFET Vishay, canale Tipo P, 1.2 Ω, 700 mA 100 V, HVMDIP, Foro passante Miglioramento, 4 Pin IRFD9110PBF

Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
178-0920
Codice costruttore:
IRFD9110PBF
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

700mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IRFD

Tipo di package

HVMDIP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

-5.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.29mm

Lunghezza

5mm

Altezza

3.37mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P, da 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.