MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 700 mA, HVMDIP, Su foro

Name: MOSFET Vishay, canale P, 1,2 Ω, 700 mA, HVMDIP, Su foro
Brand: Vishay
SKU: 178-0920
Price: 1.08 EUR
Availability: InStock

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**prezzo indicativo

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	700 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	HVMDIP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	1,2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.29mm
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	8,7 nC a 10 V
Altezza	3.37mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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