MOSFET Vishay, canale P, 280 mΩ, 1,6 A, HVMDIP, Su foro

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Codice RS:
919-4491
Codice costruttore:
IRFD9024PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

1,6 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

HVMDIP

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

280 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

1,3 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

5mm

Carica gate tipica @ Vgs

19 nC a 10 V

Larghezza

6.29mm

Altezza

3.37mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
PH

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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