MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 1 A, HVMDIP, Su foro

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

1 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

HVMDIP

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

540 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

1,3 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

5mm

Carica gate tipica @ Vgs

8,3 nC a 10 V

Larghezza

6.29mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

3.37mm