MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 1 A, HVMDIP, Su foro

Name: MOSFET Vishay, canale N, 540 mΩ, 1 A, HVMDIP, Su foro
Brand: Vishay
SKU: 919-4498
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	HVMDIP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	540 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	6.29mm
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	8,3 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	3.37mm

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