MOSFET Vishay, canale Tipo N, 540 mΩ, 1 A 100 V, HVMDIP, Foro passante Miglioramento, 4 Pin IRFD110PBF

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Codice RS:
919-4498
Codice costruttore:
IRFD110PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IRFD

Tipo di package

HVMDIP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

540mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione diretta Vf

2.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

3.37mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
CARATTERISTICHE

MOSFET di potenza • TrenchFET®

Contenitore • con bassa resistenza termica

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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