MOSFET Vishay, canale N, 100 mΩ, 2,5 A, HVMDIP, Su foro

Name: MOSFET Vishay, canale N, 100 mΩ, 2,5 A, HVMDIP, Su foro
Brand: Vishay
SKU: 541-0632
Price: 2.00 EUR
Availability: InStock

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	HVMDIP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Carica gate tipica @ Vgs	18 nC a 5 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5mm
Larghezza	6.29mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	3.37mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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