MOSFET Vishay, canale N, 270 mΩ, 1,3 A, HVMDIP, Su foro

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

1,3 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

HVMDIP

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

270 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

1,3 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-10 V, +10 V

Larghezza

6.29mm

Carica gate tipica @ Vgs

12 nC a 5 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

5mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

3.37mm

Minima temperatura operativa

-55 °C