MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 12 mΩ Miglioramento, 35 A, 5 Pin, DFN, Superficie
- Codice RS:
- 178-4304
- Codice costruttore:
- NVMFS5C468NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*
733,50 €
(IVA esclusa)
895,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Scorte limitate
- 1500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,489 € | 733,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-4304
- Codice costruttore:
- NVMFS5C468NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Serie | NVMFS5C468N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 28W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.9nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Lunghezza | 5.1mm | |
| Larghezza | 6.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFN | ||
Serie NVMFS5C468N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 28W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.9nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 1.05mm | ||
Lunghezza 5.1mm | ||
Larghezza 6.1 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5 x 6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.
Caratteristiche
Ingombro ridotto (5 x 6 mm)
Bassa resistenza RDS(on)
Qg e capacità bassi
Opzione con fiancata bagnabile
Capacità PPAP
Vantaggi
Design compatto
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
Riduce le perdite di driver
Ispezione visiva migliorata
Applicazioni
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Alimentatori switching
Prodotti finali
Driver per solenoide - ABS, iniezione di carburante
Controllo del motore - EPS, tergicristalli, ventilatori, sedili, ecc.
Interruttore di distribuzione di carico - ECU, pannello, corpo
Link consigliati
- MOSFET onsemi 12 mΩ DFN, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 12 52 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 7 84 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 7 78 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 250 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 41 mΩ DFN, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 237 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 17 36 A Montaggio superficiale
