MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 12 mΩ Miglioramento, 35 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS5C468NT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-4638
Codice costruttore:
NVMFS5C468NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Serie

NVMFS5C468N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

28W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.9nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5 x 6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.

Caratteristiche

Ingombro ridotto (5 x 6 mm)

Bassa resistenza RDS(on)

Qg e capacità bassi

Opzione con fiancata bagnabile

Capacità PPAP

Vantaggi

Design compatto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ispezione visiva migliorata

Applicazioni

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Alimentatori switching

Prodotti finali

Driver per solenoide - ABS, iniezione di carburante

Controllo del motore - EPS, tergicristalli, ventilatori, sedili, ecc.

Interruttore di distribuzione di carico - ECU, pannello, corpo

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