MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 133 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS5C638NLT1G

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Codice RS:
178-4407
Codice costruttore:
NVMFS5C638NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

133A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NVMFS5C638NL

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.4nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5 x 6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.

Caratteristiche

Contenitore con ingombro ridotto standard industriale 5 x 6 mm

Bassa resistenza RDS(on)

QG e capacità bassi

NVMFS5C638NLWF - Opzione con fiancata bagnabile

Capacità PPAP

Vantaggi

Design compatto e ingombro standard per inserimento diretto dall'alto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ispezione visiva migliorata

Applicazioni

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Prodotti finali

Driver per solenoide - ABS, iniezione di carburante

Controllo del motore - EPS, tergicristalli, ventilatori, sedili, ecc.

Interruttore di distribuzione di carico - ECU, pannello, corpo

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