MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 133 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS5C638NLT1G

Codice RS:: 178-4407
Codice costruttore:: NVMFS5C638NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 133 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS5C638NLT1G

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

7,37 €

(IVA esclusa)

8,99 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Ultimi pezzi su RS

1410 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità	Per unità	Per confezione*
10 +	0,737 €	7,37 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-4407
Codice costruttore:: NVMFS5C638NLT1G
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	133A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	NVMFS5C638NL
	Tipo di package	DFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	18.4nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	100W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	6.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5.1mm
	Altezza	1.05mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 133A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie NVMFS5C638NL
	Tipo di package DFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18.4nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 100W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 6.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5.1mm
	Altezza 1.05mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: MY

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5 x 6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.

Caratteristiche

Contenitore con ingombro ridotto standard industriale 5 x 6 mm

Bassa resistenza RDS(on)

QG e capacità bassi

NVMFS5C638NLWF - Opzione con fiancata bagnabile

Capacità PPAP

Vantaggi

Design compatto e ingombro standard per inserimento diretto dall'alto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ispezione visiva migliorata

Applicazioni

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Prodotti finali

Driver per solenoide - ABS, iniezione di carburante

Controllo del motore - EPS, tergicristalli, ventilatori, sedili, ecc.

Interruttore di distribuzione di carico - ECU, pannello, corpo

MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 133 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS5C638NLT1G

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!