MOSFET Microchip, canale N, 1,4 Ω, 330 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 178-5338
- Codice costruttore:
- LND01K1-G
- Costruttore:
- Microchip
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
0,204 €
(IVA esclusa)
0,249 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 3000 + | 0,204 € | 612,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 178-5338
- Codice costruttore:
- LND01K1-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Transistor MOSFET a canale N LND01
LND01 di Microchip è un transistor MOSFET con modalità di esaurimento (normalmente ON), a soglia ridotta. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS.
Caratteristiche
Bidirezionale
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Velocità di commutazione elevate
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di funzionamento in parallelo
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Velocità di commutazione elevate
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di funzionamento in parallelo
Transistor MOSFET, Microchip
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 330 mA |
| Tensione massima drain source | 9 V |
| Tipo di package | SOT-23 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 5 |
| Resistenza massima drain source | 1,4 Ω |
| Modalità del canale | Depletion |
| Dissipazione di potenza massima | 360 mW |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -12 V, +0,6 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 1.75mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Lunghezza | 3.05mm |
| Massima temperatura operativa | +125 °C |
| Altezza | 1.3mm |
| Minima temperatura operativa | -25 °C |
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