MOSFET Microchip, canale Tipo N 350 V, 35 Ω Depletion, 135 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie DN3135K1-G

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Codice RS:
165-6450
Codice costruttore:
DN3135K1-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

135mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

350V

Tipo di package

SOT-23

Serie

DN3135

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Altezza

1.02mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-free/RoHS

Standard automobilistico

No

DN3135 è un transistor (normalmente attivo) a bassa soglia in modalità di esaurimento che utilizza una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di produzione comprovato di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente intrinseco di temperatura positivo dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di fuga termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, un’alta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità d'ingresso

Velocità elevata di commutazione

Bassa resistenza in stato attivo

Privi di scarica secondaria

Bassa dispersione in ingresso e in uscita

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