MOSFET singoli Microchip, canale Tipo N 350 V, 35 Ω Depletion, 72 mA, 3 Pin, SOT-89, Superficie DN3135N8-G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
649-459
Codice costruttore:
DN3135N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

72mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

350V

Tipo di package

SOT-89

Serie

DN3135

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

Lead (Pb)-free/RoHS

Larghezza

1.3 mm

Standard automobilistico

No

Il transistor Microchip (normalmente attivo) a bassa soglia in modalità di esaurimento utilizza un'avanzata struttura DMOS verticale e un collaudato processo di produzione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.

Impedenza di ingresso elevata

Bassa capacità di ingresso

Velocità di commutazione rapide

Bassa resistenza in stato attivo

Privo di scarica secondaria

Bassa perdita in ingresso e in uscita

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