MOSFET Microchip, canale N, SOT-89, Su foro

Il MOSFET a canale P Microchip a bassa soglia, in modalità di potenziamento (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.

Esente da guasti secondari
Requisiti di azionamento a bassa potenza
Facilità di collegamento in parallelo
Bassa CISS e velocità di commutazione elevate
Eccellente stabilità termica
Diodo sorgente-drenaggio integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno