MOSFET Microchip, canale Tipo N 240 V, 6 mΩ Miglioramento, 360 A, 3 Pin, SOT-89, Foro passante

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Codice RS:
264-8918
Codice costruttore:
TN2524N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

360A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

240V

Tipo di package

SOT-89

Serie

TN2524

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

4.6mm

Altezza

1.6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

2.6 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Microchip con modalità di potenziamento a bassa soglia (normalmente spento) utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristico di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di dispersione termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione in cui si desidera una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di rottura, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e velocità di commutazione elevate.

Soglia bassa (2,0 V max.)

Elevata impedenza di ingresso

Bassa capacità di ingresso (125 pF max.)

Velocità di commutazione rapida

Bassa resistenza in stato attivo

Esente da guasti secondari

Bassa dispersione in ingresso e in uscita

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